硅膜片壓力傳感器是以壓阻效應(yīng)為基礎(chǔ)的。根據(jù)壓阻效應(yīng)， 半導(dǎo)體電阻的阻值隨所加壓力的改變而變化。這里AR是電阻的變化值，R是半導(dǎo)體電阻的初始值，p 和P。是加在電阻上縱向和橫向壓力， 和 為縱向和橫向壓阻系數(shù)。壓阻系數(shù)取決于電阻在晶狀結(jié)構(gòu)上的排列。如圖l所示的晶向排列，其系數(shù)近似為tL=一Ⅱt："D／2這里 ，是沿硅膜片懾體軸向的壓阻系數(shù)，所以電阻的變化量可簡單表示為t

AR1／Rl： 一AR=／Rl

： ·(Pl，一Pl z)／2

式中P ，和P 。是電阻R 在jr和x方向上所感受到的壓力， 它們正比于加在膜片上的壓力P。將R 和R：接成半橋電路，并用Vtzc電壓來激發(fā)該橋路，輸出電壓Vo和它的壓力敏感度S可用下式表示t

V 0 -(PI，一Pl1)VEx c／4

S=(1／VFI c)(aV。／0P)

： ( 。／4)a(P1，一Plx)／0p

而且壓力敏感度的溫度系數(shù)為

(1／S)(aS／0T)

= (1／ j)(0z~／aT)

因為o~P／a．T是負值，所以得到了負溫度系數(shù)。在實際運用中， 這個負溫度系數(shù)由溫補電路和R R。集成在同一硅片上(如圖2所示)而進行補償。這樣不但避免共模噪聲由導(dǎo)線饋入，而且可以使傳感器小型化，高精度化，更重要的是這一技術(shù)1從根本上改變了電容式壓力變送器的傳感器的溫度特性，達到±100ppm／℃ 。